電表用1000萬次擦寫EEPROM系列產(chǎn)品
近日，普冉半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的P24C系列高可靠EEPROM產(chǎn)品，應(yīng)下游客戶及市場需求，公司該新款系列產(chǎn)品可達到1000萬次擦寫壽命，是公司為電表市場開發(fā)的超群產(chǎn)品，達到目前行業(yè)領(lǐng)先的擦寫次數(shù)。
P24C系列產(chǎn)品基于95nm及以下工藝，具備低功耗、超寬壓覆蓋、高可靠等特性，滿足擦寫壽命1000萬次，數(shù)據(jù)保存100年的高可靠性要求，產(chǎn)品性能達到業(yè)界領(lǐng)先水平，可用于電表及其他高可靠性產(chǎn)品領(lǐng)域。
P24C系列產(chǎn)品的特點：
● 存儲器容量：512Kbit~1Mbit
● 工作電壓范圍：1.7V~5.5V
● 工作溫度范圍：-40℃~125℃
● 擦寫功能帶糾錯碼（ECC）
● 擦寫壽命：1000萬次
● 數(shù)據(jù)保存年限：100年
● 封裝支持：PDIP8, SOP8, TSSOP8, MSOP8, UDFN8, SOT23-5, TSOT23-5
EEPROM是一種通用型非易失性存儲芯片，由于其低功耗、高靈活性、強可靠性等特點，被廣泛應(yīng)用于存儲小規(guī)模、經(jīng)常需要修改的數(shù)據(jù)存儲，應(yīng)用于智能手機、服務(wù)器、PC、BLE/WIFI模塊、汽車電子、面板、家電、工控等下游領(lǐng)域。
普冉半導(dǎo)體在EEPROM領(lǐng)域，已深耕近十年。2014年，公司前身無錫普雅半導(dǎo)體完成首顆256Kbit、512Kbit EEPROM的研發(fā)和流片。2021年，公司車規(guī)級EEPROM獲得AEC-Q100認證，進入海內(nèi)外知名車廠。截至目前，公司EEPROM產(chǎn)品已經(jīng)做到2Kbit-4Mbit的全容量覆蓋，操作電壓覆蓋1.2V-5.5V，同時支持SOP/TSSOP/DFN等傳統(tǒng)封裝及WLCSP等芯片級封裝形式，能夠滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)θ萘亢头庋b的需求。
公司在EEPROM領(lǐng)域已經(jīng)形成比較完整的系列產(chǎn)品布局，并持續(xù)在工藝制程和存儲單元等維度實現(xiàn)技術(shù)迭代，提升產(chǎn)品的性價比和市場競爭力。
工藝制程方面，公司持續(xù)針對存儲單元的結(jié)構(gòu)、擦寫電壓進行改造和優(yōu)化，在不犧牲可靠性指標的前提下，不斷縮小存儲單元的尺寸，單顆芯片具備更高的性價比。公司已從第一代130nm產(chǎn)品迭代到新一代的95nm及以下產(chǎn)品，并于2020年實現(xiàn)量產(chǎn)。
產(chǎn)品功能方面，普冉半導(dǎo)體實現(xiàn)了分區(qū)域保護、地址編程等功能，可對芯片中的存儲的參數(shù)數(shù)據(jù)進行保護，避免數(shù)據(jù)丟失和篡改，數(shù)據(jù)保持時間超過100年。
公司擁有超大容量的EEPROM系列產(chǎn)品，支持SPI/I2C接口和最大4Mbit容量，其中2Mbit產(chǎn)品批量用于高速寬帶通信和數(shù)據(jù)中心。同時，公司推出的超低電壓1.2V系列EEPROM已實現(xiàn)量產(chǎn)出貨，涵蓋32Kbit至512Kbit，是目前行業(yè)內(nèi)工藝節(jié)點領(lǐng)先和容量覆蓋面較為完備的超低電壓產(chǎn)品線。
相比上一代500萬次擦寫的產(chǎn)品，普冉半導(dǎo)體本次推出的新產(chǎn)品可以更靈活的更新修改，同時具備更長的使用壽命，也一定程度體現(xiàn)了公司在工藝和設(shè)計水平上的持續(xù)突破。
公司未來將在非易失存儲器領(lǐng)域以新工藝節(jié)點、寬電壓覆蓋、高速、高可靠等性能為發(fā)展方向，以高可靠工控和車規(guī)為持續(xù)的重點拓展方向，進一步擴展系統(tǒng)級存儲器產(chǎn)品線，不斷獲得突破和領(lǐng)先優(yōu)勢。
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